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EV和充電樁:IGBT和MOSFET工程選型9個異同點
發布時間:2023-06-01 閱讀量:708 來源:我愛方案網 作者:bebop

EV中的電機控制系統、引擎控制系統、車身控制系統均需使用大量的半導體功率器件,它的普及為汽車功率半導體市場打開了增長的窗口。充電樁中決定充電效率和能量轉化的關鍵元件是IGBT和MOSFET。在各類半導體功率器件中,未來增長最強勁的產品將是MOSFET與IGBT模塊。


為了幫助工程師選型,特別是中控人機界面方案商的工程師(熟悉通信互聯,并不熟悉執行部分和元器件構成),本文提供IGBT和MOSFET基礎知識和工程選型要領。一般認為IGBT個大功率大,MOSFET適合開關和小電流驅動,其實IGBT與MOSFET有9大異同點,我們一起來看看。

01

IGBT與MOSFET的分類與異同點


IGBT全稱是絕緣柵極型功率管,是由雙極型三極管 (BJT) 和MOSFET組成的復合全控型電壓驅動式半導體功率器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和BJT的低導通壓降兩方面的優點。MOSFET和IGBT屬于電壓控制型開關器件,具有開關速度快、易于驅動、損耗低等優勢。

MOSFET和IGBT均為集成在單片硅上的固態半導體器件,且都屬于電壓控制器件。另外,IGBT和MOSFET在柵極和其他端子之間都有絕緣,兩種器件全部具有較高的輸入阻抗。在應用中,IGBT和MOSFET都可以用作靜態電子開關。

在結構上,MOSFET和IGBT看起來非常相似,實則不同。IGBT由發射極、集電極和柵極

端子組成,而MOSFET由源極、漏極和柵極端子組成。IGBT的結構中有PN結,MOSFET沒有任何PN結。

IGBT與MOSFET有9大異同點:

1.在低電流區,MOSFET的導通電壓低于IGBT,這也是它的優勢。不過,在大電流區IGBT的正向電壓特性優于MOSFET。此外,由于MOSFET的正向特性對溫度具有很強的正向依賴性,因此,IGBT的高溫特性更好,導通電壓比MOSFET低。

2.IGBT適用于中到極高電流的傳導和控制,而MOSFET適用于低到中等電流的傳導和控制。

3.IGBT不適合高頻應用,它能在千Hz頻率下運行良好。MOSFET特別適合非常高頻的應用,它可以在兆Hz頻率下運行良好。

4.IGBT的開關速度比較低,MOSFET開關速度非常高。

5.IGBT可以承受非常高的電壓以及大功率,MOSFET僅適用于低至中壓應用。

6.IGBT具有較大的關斷時間,MOSFET的關斷時間較小。

7.IGBT可以處理任何瞬態電壓和電流,但當發生瞬態電壓時,MOSFET的運行會受到干擾。

8.MOSFET器件成本低,價格便宜,而IGBT至今仍屬于較高成本器件。

9.IGBT適合高功率交流應用,MOSFET適合低功率直流應用。


上述這些差別,在應用上MOSFET和IGBT各有側重點。通常,MOSFET的額定電壓約為600V,而IGBT的額定電壓能夠達到1400V。從額定電壓角度看,IGBT主要用于更高電壓的應用。從工作頻率角度看,IGBT通常在低于20kHz的開關頻率下使用,此時它們比單極性MOSFET具有更高的開關損耗。


對于低頻 (小于20kHz) 、高壓 (大于1000V) 、小或窄負載或線路變化、高工作溫度,以及超過5kw的額定輸出功率應用,IGBT是首選。而MOSFET更適合低電壓 (小于250V) 、大占空比和高頻 (大于200KHz) 的應用。


02

MOSFET特別適合高頻開關應用


作為電源開關,選擇的MOSFET應該具有極低的導通電阻、低輸入電容 (即Miller電容) 以及極高的柵極擊穿電壓,這個數值甚至高到足以處理電感產生的任何峰值電壓。另外,漏極和源極之間的寄生電感也是越低越好,因為低寄生電感可將開關過程中的電壓峰值降至最低。


MOSFET的優點決定了它非常適合高頻且開關速度要求高的應用。在開關電源 (SMPS) 中,MOSFET的寄生參數至關重要,它決定了轉換時間、導通電阻、振鈴 (開關時超調) 和背柵擊穿等性能,這些都與SMPS的效率密切相關。


對于門驅動器或者逆變器應用,通常需要選擇低輸入電容 (利于快速切換) 以及較高驅動能力的MOSFET。


03

IGBT適合高壓大電流應用


與MOSFET相比,IGBT開關速度較慢,關斷時間較長,不適合高頻應用。


IGBT的主要優勢是能夠處理和傳導中至超高電壓和大電流,擁有非常高的柵極絕緣特性,且在電流傳導過程中產生非常低的正向壓降,哪怕浪涌電壓出現時,IGBT的運行也不會受到干擾。


在實際應用中,逆變技術對IGBT的參數要求并不是一成不變的,對IGBT的要求各不相同。


綜合來看,下面這些參數在IGBT的選擇中是至關重要的。


一是額定電壓,在開關工作的條件下,IGBT的額定電壓通常要高于直流母線電壓的兩倍。

二是額定電流,由于負載電氣啟動或加速時,電流過載,要求在1分鐘的時間內IGBT能夠承受1.5倍的過流。

三是開關速度。

四是柵極電壓,IGBT的工作狀態與正向柵極電壓有很大關系,電壓越高,開關損耗越小,正向壓降也更小。


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