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MCU 中內(nèi)部存儲(chǔ)器的數(shù)量取決于存儲(chǔ)器的分類方式。主要有兩種存儲(chǔ)器：隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）和只讀存儲(chǔ)器（ROM）。但是，根據(jù)內(nèi)存性能不同，RAM 和 ROM 有不同的類型。這些不同類型的存儲(chǔ)器可用于各種功能，例如高速緩存、主存儲(chǔ)器、程序存儲(chǔ)器等。另一方面，存在內(nèi)存的虛擬與物理定義的問(wèn)題。

RAM 的兩種主要類型是靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (SRAM) 和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (DRAM)。兩者都需要施加電壓來(lái)保存它們的信息。DRAM 很簡(jiǎn)單，基本實(shí)現(xiàn)只需要一個(gè)晶體管和一個(gè)電容器。DRAM是所有內(nèi)存技術(shù)中使用最廣泛的一種。當(dāng)集成到 MCU 中時(shí)，它被稱為嵌入式 DRAM (eDRAM)。與用作外部存儲(chǔ)器的等效獨(dú)立 DRAM 芯片相比，eDRAM 的每比特成本更高。盡管如此，將 eDRAM 放置在與處理器相同的芯片上的性能優(yōu)勢(shì)仍超過(guò)了高性能應(yīng)用中的成本劣勢(shì)。

SRAM 比 eDRAM 更復(fù)雜，通常由六個(gè)晶體管實(shí)現(xiàn)。SRAM 比 DRAM 更快，因此非常適合集成到 MCU 中。它是最常用的內(nèi)部 MCU 內(nèi)存技術(shù)之一。SRAM 通常用作高速緩存和處理器寄存器。

MCU 中的非易失性存儲(chǔ)器包括閃存和電可擦可編程 ROM (EEPROM)。閃存是 EEPROM 的一種形式。它們之間的主要區(qū)別在于它們的管理方式；Flash 在塊級(jí)別進(jìn)行管理（寫(xiě)入或擦除），而 EEPROM 可以在字節(jié)級(jí)別進(jìn)行管理。閃存可用于 NAND 和 NOR 架構(gòu)。NAND 閃存以塊為單位處理數(shù)據(jù)，讀取速度快于寫(xiě)入速度。它可以快速傳輸多頁(yè)數(shù)據(jù)。它提供比 NOR 更高的單位面積容量，用于高密度存儲(chǔ)。NOR Flash支持更細(xì)粒度的操作，并提供高速隨機(jī)訪問(wèn)。NOR Flash可以讀寫(xiě)特定的數(shù)據(jù)。

Fujio Masuoka 在 1980 年代在東芝工作時(shí)發(fā)明了閃存。他的同事 Shoji Ariizumi 使用 Flash 一詞來(lái)描述新技術(shù)，因?yàn)椴脸袛?shù)據(jù)讓他想起了相機(jī)的 Flash。易失性和非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)可以根據(jù)幾個(gè)性能標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行比較：

速度：易失性內(nèi)存通常更快

成本：易失性內(nèi)存成本更低

壽命：易失性存儲(chǔ)器的壽命更長(zhǎng)。非易失性存儲(chǔ)器由于其重寫(xiě)能力而具有有限的壽命。

能耗：DRAM等易失性存儲(chǔ)器需要重復(fù)數(shù)據(jù)刷新，這會(huì)消耗額外的功率。非易失性存儲(chǔ)器通常消耗較少的功率。