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據(jù)半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)鏈消息人士透露，臺(tái)積電2023年首季營(yíng)收預(yù)估環(huán)比下滑10-15%，受上半年新訂單大幅萎縮影響，尤其是7nm制程利用率或首季跌破50%。  

消息人士稱(chēng)，為應(yīng)對(duì)持續(xù)低迷的終端市場(chǎng)需求和緩慢的庫(kù)存消耗，蘋(píng)果、AMD、英偉達(dá)、高通和聯(lián)發(fā)科等大客戶以及較小的客戶繼續(xù)削減與臺(tái)積電的訂單。他們補(bǔ)充說(shuō)，該代工廠的收入雖然在 11 月仍創(chuàng)下歷史新高，但預(yù)計(jì)將從 12 月開(kāi)始下降，并在 2023 年第一季度下降得更為明顯。  

其實(shí)在11月就有媒體報(bào)道，臺(tái)積電3nm訂單遭遇客戶臨時(shí)取消訂單，導(dǎo)致近期量產(chǎn)的N3工藝的產(chǎn)能低于原先的計(jì)劃，估計(jì)要到明年下半年第二代的N3E工藝才會(huì)有明顯的增加。這直接影響了臺(tái)積電在其供應(yīng)鏈上的訂單量，傳聞削減了40%到50%的訂單，涵蓋晶圓、關(guān)鍵耗材、以及配備設(shè)備等各方面，牽動(dòng)了整個(gè)半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的各個(gè)環(huán)節(jié)。  

有業(yè)內(nèi)人士透露，其實(shí)從今年第三季度末開(kāi)始，臺(tái)積電的訂單量就開(kāi)始轉(zhuǎn)弱，第四季度與明年的訂單量都處于持續(xù)下滑的狀態(tài)，這將沖擊前端生產(chǎn)及后端封裝測(cè)試環(huán)節(jié)。臺(tái)積電原計(jì)劃2022年的資本支出為400億至440億美元，面對(duì)市場(chǎng)需求的變化下調(diào)至360億美元，這是臺(tái)積電今年內(nèi)第二次下調(diào)資本支出目標(biāo)。  

其CEO CC Wei此前表示，半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的庫(kù)存調(diào)整將持續(xù)到2023年上半年，公司先進(jìn)和成熟工藝節(jié)點(diǎn)的產(chǎn)能利用率要到下半年才會(huì)反彈。魏還指出，由于手機(jī)和 PC 的芯片需求大幅萎縮，7/6nm工藝的產(chǎn)能利用率將低于其他節(jié)點(diǎn)。  

聯(lián)發(fā)科和高通都警告稱(chēng)手機(jī) AP 的需求低于預(yù)期，而英特爾、AMD 和 英偉達(dá) 也對(duì) PC 市場(chǎng)前景持保守態(tài)度。消息人士稱(chēng)，他們都大幅縮減了臺(tái)積電的晶圓開(kāi)工，或者通過(guò)將半成品或成品晶圓保留在代工廠或后端合作伙伴處，直到庫(kù)存降至適當(dāng)水平，來(lái)推遲發(fā)貨。  

除了 2023 年第一季度 7nm工藝產(chǎn)能利用率可能從 2022 年第三季度的 95% 降至 50% 以下外，臺(tái)積電 Fab 18 的 5nm工藝產(chǎn)能利用率預(yù)計(jì)將在上半年下滑至明年的70-80%。此外，消息人士稱(chēng)，由于英特爾的訂單延遲，其 3nm 晶圓廠產(chǎn)能利用率將遠(yuǎn)低于預(yù)期，并補(bǔ)充說(shuō)，據(jù)報(bào)道，一些 EUV 光刻機(jī)因減產(chǎn)而處于閑置狀態(tài)。  

成熟制程方面，由于需求旺盛，其Fab 15A 28nm產(chǎn)能預(yù)計(jì)將維持95%的高利用率至2023年年中，但Fab 14B的16/12nm產(chǎn)能預(yù)計(jì)較上年小幅下滑至85% - 90% 的利用率。  

消息人士估計(jì)，臺(tái)積電 45nm至 3nm工藝的整體產(chǎn)能利用率在從第三季度的 100% 下降到第四季度的 95% 后，將在 2023 年上半年下降至 75%。  

盡管如此，業(yè)內(nèi)強(qiáng)調(diào)，臺(tái)積電2023年全年?duì)I收及利潤(rùn)仍有望維持增長(zhǎng)勢(shì)頭，原因是受惠于下半年大客戶補(bǔ)貨訂單旺盛、蘋(píng)果設(shè)備出貨進(jìn)入旺季，以及蘋(píng)果設(shè)備出貨率上升。3nm和5nm芯片承載單位晶圓代工報(bào)價(jià)分別超2萬(wàn)美元和1.6萬(wàn)美元。   

臺(tái)積電評(píng)估日本 7nm 晶圓廠和封裝線

另?yè)?jù)報(bào)道，臺(tái)積電應(yīng)日本政府要求，正在評(píng)估在日本設(shè)立 7nm芯片制造設(shè)施和相關(guān)封裝生產(chǎn)線的可行性。  

臺(tái)積電投資的日本先進(jìn)半導(dǎo)體制造公司（JASM），與索尼、電裝在熊本設(shè)立的合資工廠，將于2024年底開(kāi)始商業(yè)生產(chǎn)12/16nm和22/28 nm芯片，月產(chǎn)能為55000 片晶圓。該工廠有望在進(jìn)入量產(chǎn)后為臺(tái)積電創(chuàng)造利潤(rùn)，因?yàn)槠洚a(chǎn)能已被索尼和電裝預(yù)訂滿，訂單可見(jiàn)性為 3-5 年。  

業(yè)內(nèi)人士表示，日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省（METI）積極邀請(qǐng)臺(tái)積電擴(kuò)大與日本主要科技公司的戰(zhàn)略合作，旨在將日本在半導(dǎo)體設(shè)備和材料方面的實(shí)力與臺(tái)積電的工藝技術(shù)和產(chǎn)能優(yōu)勢(shì)相結(jié)合，以推動(dòng)日本半導(dǎo)體實(shí)力的整體發(fā)展。  

日本也渴望建立自己的半導(dǎo)體制造基地，不僅針對(duì) MCU、PMIC 和傳感器芯片，還針對(duì)高端 AI、HPC、5G/6G 相關(guān)芯片解決方案，以滿足未來(lái)日本對(duì)自動(dòng)駕駛汽車(chē)和先進(jìn)網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用的強(qiáng)勁需求。  

由于日本自身的邏輯芯片生產(chǎn)仍停留在40nm水平，該國(guó)將越來(lái)越依賴(lài)臺(tái)積電幫助其提升工藝技術(shù)。消息人士稱(chēng)，除了在日本運(yùn)營(yíng) 3D IC 研究中心和新晶圓廠外，臺(tái)積電還在評(píng)估 METI 提出的 7nm 晶圓廠和封裝線等新合作項(xiàng)目。

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