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2022年10月26日，鎧俠四日市工廠（三重縣四日市市）舉行了第7制造大樓（Y7大樓）竣工儀式。在Y7大樓，我們計劃生產3D NAND閃存“BiCS FLASH”的第6代（162層）及下一代產品，預計第6代BiCS FLASH將于2023年初出貨。
當天，在竣工儀式的同時還舉行了新聞發布會，鎧俠社長早坂伸夫和鎧俠常務執行董事四日市工廠長松下智治回答了媒體的提問。
NAND閃存的市場條件“相當艱難”
問：我想聽聽您對 NAND 閃存市場的看法。
早坂伸夫先生：市場狀況相當嚴峻，很難預測目前的情況會持續多久。但是，由于內存是不可或缺的半導體，我們不認為未來嚴峻的市場狀況會持續下去。
問：你們宣布將從2022年10月起調整生產，將晶圓投入量減少約30%。請告訴我們背景。
早坂先生：決定調整生產的原因是需求相當嚴峻。具體來說，個人電腦、智能手機、數據中心等的整體需求正在放緩。預計這種生產調整將暫時持續，現階段很難預測何時恢復生產。
問：未來市場環境嚴峻是否會影響Y7樓（二期）的投資？
早坂先生：我們公司傳統上在監控市場狀況的同時進行投資。這一次也有可能會根據情況進行調整，但目前關于發布沒有任何變化。然而，Y7大樓二期的投資時間尚未確定。
“我們不會放松投資”
問：新工廠的建設得到了政府的支持。您對政府的半導體支持和政策有何看法？
早坂先生：本來，我們公司請求政府的支持。沒有競爭力，半導體產業將繼續消亡。有一個背景是，它呼吁政府支持是維持競爭力所必需的。
但在這種情況下，流程發生了顯著變化，例如自民黨內部成立了“半導體戰略推進國會議員聯盟”。政府目前正在制定各種措施來支持半導體。有了這種支持，我們將加強我們的競爭力，作為世界上強大的日本半導體制造商盡最大努力。
對于半導體行業來說，在未來繼續研發是極其重要的。中長期我們不會放松對新產品開發的投入。
問：2022年10月，美國宣布針對中過的新半導體出口管制，這將入和影響中國的閃存制造商。
早坂先生：我們還不了解出口限制內容，目前也正在研究中。長江存儲是我們公司的競爭對手，毫無疑問，但目前的情況是，我們將不得不拭目以待，新法規對我們的影響如何。
關于EUV的導入
問：據說Y7大樓是利用AI（人工智能）的高度自動化的智能工廠，但是使用了什么樣的AI技術呢？是否有任何工藝挑戰，例如光刻？
早坂先生：很難透露工廠使用的AI技術，但我想說的是，我們正在制造具有AI的產品，并且每天都在發展。
至于光刻，我們正在繼續研究和開發作為下一代技術的納米壓印 (NIL) 技術。但是，它還沒有達到可以應用于大規模量產的地步。一些制造商已經推出了 EUV（極紫外）光刻技術，但鎧俠目前沒有這樣做的計劃。
問：目前，四日市工廠和北上工廠（巖手縣北上市市）生產 96 層和 112 層 3D NAND 閃存，但在 Y7 大樓開始生產 162 層 NAND 閃存后，產品結構發生了變化。會發生什么
早坂先生：我不能給你詳細的產品組合，但我們會在監測市場情況的同時做出調整。
問：北上工廠目前運營的Y7大樓和K1大樓的主要區別是什么？
松下智治先生：Y7 樓比 K1 樓更先進的有兩點：可以安裝更多的設備和裝置，并且比 K1 樓更節能。
問：美光科技已經開始量產232層NAND閃存，三星電子也開始量產176層NAND閃存。請告訴我們鎧俠的路線圖。
松下智治：作為 NAND 閃存的通用技術路線圖，不僅對我們公司，而且對于未來幾代，我們將繼續增加層數。但是，每家公司的策略在如何增加層數上有所不同。我們的目標不僅僅是增加層數?？蛻魧r格有強烈的要求，為了滿足這些要求，需要決定下一代3D NAND閃存技術的方向，包括層數，同時還要考慮價格之外的性能和速度。
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