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Bakegate的摻雜是決定閾值電壓的主要因素。如果backgate越重摻雜，它就越難反轉。要反轉就要更強的電場，閾值電壓就上升了。MOS管的backgate摻雜能通過在gate dieleCTRic表面下的稍微的implant來調整。這種implant被叫做閾值調整implant（或Vt調整implant）。

Vt調整implant對NMOS管的影響。如果implant是由aCCeptors組成的，那么硅表面就更難反轉，閾值電壓也升高了。如果implant是由donors組成的，那么硅表面更容易反轉，閾值電壓下降。如果注入的donors夠多，硅表面實際上就反向摻雜了。這樣，在零偏置下就有了一薄層N型硅來形成永久的channel。隨著GATE偏置電壓的上升，channel變得越來越強的反轉。隨著GATE偏置電壓的下降，channel變的越來越弱，最后消失了。這種NMOS管的閾值電壓實際上是負的。這樣的晶體管稱為耗盡模式NMOS，或簡單的叫做耗盡型NMOS。相反，一個有正閾值電壓的的NMOS叫做增強模式NMOS，或增強型NMOS。絕大多數商業化生產的MOS管是增強型器件，但也有一些應用場合需要耗盡型器件。耗盡型PMOS也能被生產出來。這樣的器件的閾值電壓是正的。

電子管的熱絲是用硝化纖維、丁醇、醋酸乙酯的混合液體中，加入細膩的純凈剛鋁石粉末進行研磨，形成懸濁液，將純凈的鎢絲或者鉬絲，表面用噴涂的辦法，噴上一層剛鋁石懸濁液，然后在900度的溫度下加熱幾分鐘，自然冷卻。然后將熱絲在20%的氫氧化鉀溶液中煮幾分鐘，然后用蒸餾水沖洗烘干，在空氣中加熱到100度幾分鐘，蒸發溶劑。然后在高溫氫氣爐中以1600-1650度高溫加熱幾分鐘，就可以備用了。

電子管內部出現藍光的問題。出現藍光的原因很多，有些是電極之間的藍光，有些是玻璃殼上面的藍光。通常，電極之間出現藍光的原因是電子管內部的電位差過高，導致出現電弧，這在一些工作電壓高的功率管之中常常能見到。當然如果是因為電子管的真空度降低也會出現電極之間的藍光現象，不過一般而言真空度緩慢降低的管子，它的消氣劑通常會出現減少的情況。

還有一種情況是玻璃外殼上面出現了藍光，這在一些透明玻璃外殼管常常見到，這是電極構造造成的原因，通常設計優良的電極系統中，雜散電子轟擊玻璃殼的情況很少，但是有些管的結構設計上或者裝配上有問題的情況下，會出現一定的電子轟擊玻璃殼的情形，此種情況下，輕則容易引起雜音并且管子的電流特性變得不平均，在嚴重情況下，對于大功率管而言，會導致玻殼電位梯度改變，引起玻殼電解或者甚至于炸裂，所以一般而言，玻璃外殼上沒有藍光是正常的。有些功率管都采用了噴碳的辦法，一則功率管容易散熱，二則外殼電位是平均的，不會引起各種問題。通?？吹降亩际菄娞嫉模屑氂^察下可以看到，噴碳管和沒有噴碳的比較而言，藍光少了許多。